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相比于反應(yīng)條件嚴(yán)苛、高能耗的Haber-Bosch工藝，電催化NRR過(guò)程可在常溫常壓下進(jìn)行，并且可以選擇水作為氫的來(lái)源，因而極具重要的科學(xué)研究?jī)r(jià)值和工業(yè)化應(yīng)用的可行性。但是，氮?dú)夥桥紭O、低溶解度等特點(diǎn)使其難以吸附在催化劑表面并被活化，并且反應(yīng)位點(diǎn)更傾向于被水分解產(chǎn)生的質(zhì)子所占據(jù)。由于電催化反應(yīng)發(fā)生在電極-電解液界面處，因此表界面工程是提高催化劑性能重要的手段之一。其中，采用有機(jī)配體對(duì)催化劑表面進(jìn)行修飾是表界面工程調(diào)節(jié)催化活性的有效方式之一。然而，催化劑表面有機(jī)配體濃度對(duì)催化性能的影響尚不明晰，并且催化劑表面活性氫的覆蓋度與有機(jī)配體之間的協(xié)同效應(yīng)對(duì)NRR性能的影響仍需要進(jìn)一步的探究。 

為此，固體所科研人員通過(guò)氣相水熱法與低溫?zé)峤夥椒ㄏ嘟Y(jié)合的方式，制備了一系列正十二烷硫醇修飾的銠基催化劑（Rh@SC₁₂H₂₅/CFC-x，x代表熱解時(shí)間），并在室溫條件下將其用于電催化合成氨性能的研究。研究表明：熱解時(shí)間為0.5 h時(shí)， Rh@SC₁₂H₂₅/CFC-0.5催化劑具有最優(yōu)的NRR性能，在-0.2 V （vs. RHE）電位下，0.1 M Na₂SO₄溶液中，氨產(chǎn)率為121.2 ± 6.6 μg h^-1 cm^-2（或137.7 ± 7.5 μg h^-1 mg_Rh^-1），法拉第效率為51.6±3.8%。適中的正十二烷硫醇覆蓋度既可以有效抑制析氫過(guò)程（HER），也可以很好地促進(jìn)NRR過(guò)程。同時(shí)理論計(jì)算模擬結(jié)果顯示，電解液中的質(zhì)子還原為活性氫（H^*）的過(guò)程優(yōu)先于氮?dú)獾奈竭^(guò)程，活性氫會(huì)在催化劑的表面形成高H^*覆蓋度。當(dāng)正十二烷硫醇修飾后，降低了催化劑表面H^*覆蓋度，進(jìn)而降低了NRR過(guò)程決速步驟的能壘，表面H*覆蓋度與有機(jī)配體修飾的協(xié)同作用增強(qiáng)了催化劑NRR性能。該工作對(duì)于設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)在溫和條件下高效NRR電催化劑提供了新的合成思路。 

該項(xiàng)工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金和安徽省自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目的支持。 

文章鏈接：https://www.sciopen.com/article/10.1007/s12274-022-4585-y

圖1. （a）Rh@SC₁₂H₂₅/CFC-x催化劑的制備示意圖。（b）Rh(I)-SC₁₂H₂₅/CFC、Rh@SC₁₂H₂₅/CFC-0.5、Rh@SC₁₂H₂₅/CFC-1.0、CFC電極分別在Ar和N₂飽和的0.1 M Na₂SO₄溶液中的LSV曲線；Rh(I)-SC₁₂H₂₅/CFC、Rh@SC₁₂H₂₅/CFC-0.5、Rh@SC₁₂H₂₅/CFC-1.0電極在不同電位下氨生成（c）產(chǎn)率；（d）法拉第效率；（e）Rh@SC₁₂H₂₅/CFC-0.5在-0.2 V過(guò)電位下循環(huán)反應(yīng)10次對(duì)應(yīng)的產(chǎn)率、法拉第效率、陰極電流。 

 圖2. （a）Rh(111)；（b）Rh(111)@SC₁₂H₂₅上NRR過(guò)程吉布斯自由能圖；（c）HER過(guò)程吉布斯自由能圖；（d）不同氫覆蓋度下N₂加氫能壘；（e）氫覆蓋度示意圖。 

參考資料：http://www.hf.cas.cn/xwzx/jqyw/202206/t20220622_6464621.html