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本文中，作者在對(duì)ν-DABNA化合物進(jìn)行氮雜?基團(tuán)的修飾后實(shí)現(xiàn)了高效的超純藍(lán)光發(fā)射（Figure 1a），強(qiáng)給電子特性促使其LUMO能級(jí)降低（Figure 1b），波長(zhǎng)發(fā)生移動(dòng)。Az的給電子能力與咔唑（Cz）和二苯胺（DPA）基團(tuán)相當(dāng)（Figure 1c）。從三種基團(tuán)的構(gòu)象中也可以看出Az的HOMO-LUMO軌道可以發(fā)生有效的分離，從而也導(dǎo)致ν-DABNA化合物的波長(zhǎng)藍(lán)移了10 nm。同時(shí)，作者還證明了該材料的OLED器件具有良好的耐用性，進(jìn)一步揭示了Az基團(tuán)對(duì)器件穩(wěn)定性能的影響機(jī)制。

（圖片來(lái)源：Adv. Mater.）

Scheme 1. ν-DABNA-Azy衍生物的合成路線

（圖片來(lái)源：Adv. Mater.）

ν-DABNA-Az1和ν-DABNA-Az2的合成遵循相同的序列，涉及逐步Buchwald-Hartwig胺化反應(yīng)以引入Az部分，產(chǎn)生前體化合物1和2。隨后進(jìn)行一次性雙硼化。

接下來(lái)，作者對(duì)1-wt%-ν-DABNA-Az摻雜的PMMA薄膜進(jìn)行了光物理性能的測(cè)試（Figure 2）。ν-DABNA-Az衍生物的激發(fā)態(tài)特征與ν-DABNA類似，展現(xiàn)出窄帶發(fā)射、相對(duì)較小的斯托克斯位移、ΔE_ST較小和大的k_RISC特征。對(duì)比之下，ν-DABNA-Az衍生物的光譜范圍更偏向于藍(lán)光區(qū)域，與理論結(jié)果相符合。所有ν-DABNA-Az衍生物的發(fā)射峰值位于458 nm，對(duì)比ν-DABNA的光譜有7 nm的藍(lán)移。同時(shí)，該衍生物的半高峰寬小于20 nm，光致發(fā)光量子產(chǎn)率（PLQY）大于80%，77 K下的ΔE_ST小于20 meV。此外，ν-DABNA-Az衍生物的k_RISC與ν-DABNA相當(dāng)。因此，引入Az基團(tuán)的策略可以在不影響化合物光物理性能的前提下提高其色純度。

最后，作者制備了基于Az衍生物的深藍(lán)光OLEDs以研究其結(jié)構(gòu)對(duì)器件電致發(fā)光性能的影響（Figure 3）。DOBNA-OAr作為一種主體材料具有相對(duì)較高的T₁水平和HOMO-LUMO水平，因而可以和ν-DABNA衍生物實(shí)現(xiàn)有效的電荷重組（Figure 3a）。相比于PMMA中的PL光譜，ν-DABNA-Az衍生物的EL光譜的發(fā)射峰值在458-459 nm，相比ν-DABNA具有明顯的藍(lán)移（Figure 3b）。另一方面，由于Az基團(tuán)的位阻作用導(dǎo)致ν-DABNA-Az衍生物與DOBNA-Oar的相互作用較弱，主客體之間的能量傳遞并不完全，有利于使體系的波長(zhǎng)藍(lán)移并且光譜變窄。由于ν-DABNA-Az2的“空間保護(hù)”作用，其與DOBNA-Oar形成的相互作用更弱，因而展現(xiàn)出更好的EL光譜。如Figure 3c所示，ν-DABNA-Az1和ν-DABNA-Az2能夠?qū)崿F(xiàn)更高的色純度，CIE坐標(biāo)分別達(dá)到了（0.136,0.083）和（0.140，0.06）。此外，器件還表現(xiàn)出了優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，開(kāi)啟電壓低至3.0 V，外量子效率超過(guò)30%（Figure 3d，e）。一般而言，主客體間的高摻雜濃度會(huì)使器件的效率滾降，因此低濃度下器件的色純度會(huì)提高。作者證明了器件具有較高的電流效率（CE）和功率效率（PE），更有利于實(shí)現(xiàn)高性能深藍(lán)光OLED（Figure 3f）。盡管相比于ν-DABNA，ν-DABNA-Az3的發(fā)射光譜發(fā)生了藍(lán)移，但是兩者的使用壽命相當(dāng)（Figure 3g）。因此，本文中所制備的OLED的壽命與商用藍(lán)光器件的壽命類似。采用Az修飾的ν-DABNA化合物表現(xiàn)出高PE、良好的使用壽命和色純度（Figure 3h，i）。