第一作者:李玉峰、李真薇
通訊作者:劉小浩
通訊單位:江南大學(xué)化學(xué)與材料工程學(xué)院
圖1. 催化劑結(jié)構(gòu)模型和甲烷干重整反應(yīng)過程示意圖
研究亮點(diǎn)
1. 超細(xì)(1-1.5nm)CeO2納米島分散在球形SiO2表面,通過可控調(diào)節(jié)Ni向其電荷轉(zhuǎn)移,實(shí)現(xiàn)Ni表面CH4可控C-H鍵斷裂,同時(shí)強(qiáng)化CO2吸附活化。
2. 大量高度配位不飽和CeO2納米島有助于促進(jìn)CO2吸附活化,從而強(qiáng)化“消碳過程”。
3. 帶正電荷CeO2納米島覆蓋SiO2表面,由于其“疏碳效應(yīng)”,改變了積碳類型和落位,有效避免了Ni位點(diǎn)積碳失活。
4. 通過調(diào)節(jié)CeO2納米島在SiO2表面的濃度,觀察到CH4轉(zhuǎn)化與CeO2含量呈火山型曲線關(guān)系。優(yōu)化的催化劑應(yīng)用于DRM反應(yīng),實(shí)現(xiàn)了CO2和CH4轉(zhuǎn)化率分別為96%和92%,無副反應(yīng)、無失活穩(wěn)定運(yùn)行2000小時(shí)。
圖2. CeO2納米團(tuán)簇對催化劑積碳消碳行為的影響,(A)還原后Ni/10Ce-SiO2催化劑TEM表征、(B)Ni/SiO2催化劑反應(yīng)50h后TEM表征、(C)Ni/10Ce-SiO2催化劑反應(yīng)50h后TEM表征、(D,E)Ni/10Ce-SiO2催化劑反應(yīng)2000h后TEM表征、(F)Ni/yCe-SiO2催化劑反應(yīng)50h后的O2-TPO表征、(G)原位還原后800°C下催化劑CH4脈沖實(shí)驗(yàn)、(H)CH4脈沖實(shí)驗(yàn)后催化劑原位O2-TPO表征、(I)CH4脈沖實(shí)驗(yàn)后催化劑原位CO2脈沖實(shí)驗(yàn)、(J)CO2脈沖實(shí)驗(yàn)后催化劑原位O2-TPO表征、(K)原位還原后,800°C下CH4-D2交換脈沖實(shí)驗(yàn)的交換度、(L)原位還原后,催化劑與5 wt%活性碳混合,800°C下CO2脈沖實(shí)驗(yàn)的CO產(chǎn)率。
TEM表征結(jié)果顯示,CeO2顆粒尺寸約為1.5nm,且均勻分布在球形SiO2載體表面,Ni的顆粒尺寸約為25-30nm(圖2A)。50h的DRM反應(yīng)后,未經(jīng)CeO2納米島修飾的Ni/SiO2催化劑被大量無定形積碳包裹(圖2B)。然而,經(jīng)CeO2納米島修飾的Ni/10Ce-SiO2催化劑,積碳主要以石墨碳形式出現(xiàn),且遠(yuǎn)離催化劑表面,顯著抑制了其對Ni活性位點(diǎn)的覆蓋(圖2C)。在2000h反應(yīng)后的催化劑中也觀察到同樣現(xiàn)象(圖2D和E),充分說明CeO2修飾能夠有效調(diào)節(jié)催化劑積碳行為。此外,50h反應(yīng)后的催化劑的O2-TPO表征結(jié)果說明,CeO2修飾有利于積碳氧化,能顯著提高消碳能力(圖2F)。為進(jìn)一步探究CeO2對催化劑積碳、消碳行為的影響,在反應(yīng)溫度(800°C)下進(jìn)行了一系列模型脈沖反應(yīng)。CH4脈沖與后續(xù)O2-TPO實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,CeO2引入能夠輕微減弱CH4解離速度,減慢碳沉積速率(圖2G和H)。CH4脈沖、CO2脈沖與后續(xù)O2-TPO實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,CeO2引入能夠大幅提高CO2的消碳速度(圖2I和J)。此外,CH4-D2交換脈沖實(shí)驗(yàn)(圖2K)進(jìn)一步證明CeO2引入能夠輕微減弱催化劑對CH4的C-H鍵的活化能力,而CO2-活性碳脈沖氧化實(shí)驗(yàn)(圖2L)也進(jìn)一步證明CeO2對消碳反應(yīng)的促進(jìn)作用。
圖3. CeO2納米團(tuán)簇對(A)CH4在Ni位點(diǎn)上的解離、(B)表面Ni原子的d帶中心、(C)Ni位點(diǎn)上消碳反應(yīng)(*CO2+*C→2*CO)和(D)CO2在Ni位點(diǎn)上吸附能的影響,以及(E-H)在Ni/SiO2和Ni/Ce-SiO2催化劑上各種消碳反應(yīng)路徑示意圖。
采用DFT計(jì)算探究了超細(xì)CeO2納米島對催化劑積碳、消碳反應(yīng)行為的影響機(jī)制。結(jié)果表明,CeO2通過吸電子作用降低金屬Ni位點(diǎn)的d電子數(shù)量,提高了CH4中C-H鍵解離能壘(圖3A和B)。CeO2吸電子作用也有利于增強(qiáng)Ni與CO2中C原子之間相互作用,進(jìn)而削弱C-O鍵,降低消碳反應(yīng)能壘(圖3C和D)。此外,基于DFT計(jì)算對比了金屬Ni位點(diǎn)、CeO2促進(jìn)金屬Ni位點(diǎn)、CeO2氧空位和CeO2晶格氧四種活性位點(diǎn)上的消碳反應(yīng)路徑(圖3E-H),發(fā)現(xiàn)CeO2促進(jìn)金屬Ni位點(diǎn)是催化劑消碳反應(yīng)的主要活性位點(diǎn)。
圖4. Ni納米粒子與CeO2的相互作用對CH4干重整催化活性和穩(wěn)定性的影響,(A)反應(yīng)活性與CeO2納米島含量的火山型曲線關(guān)系、(B)2000 h催化劑穩(wěn)定性測試結(jié)果,長周期反應(yīng)后催化劑的表征(C)熱重分析、(D)XRD、(E,F)Ni和CeO2的粒徑分布,以及(G,H)HADFF-STEM和元素Mapping表征。
結(jié)合上述研究結(jié)果,進(jìn)一步探究了Ni與CeO2相互作用對DRM反應(yīng)催化活性與穩(wěn)定性的影響。首先,隨著Ni與CeO2相互作用增強(qiáng),催化劑活性呈現(xiàn)出明顯的火山型關(guān)系(圖4A),適中的Ni與CeO2相互作用有利于實(shí)現(xiàn)更高的催化活性。在此基礎(chǔ)上,對Ni/10Ce-SiO2催化劑進(jìn)行長周期穩(wěn)定性測試(圖4B)。該催化劑在2000 h的DRM反應(yīng)中CO2與CH4轉(zhuǎn)化率保持在96%和92%,且未出現(xiàn)明顯的失活與副反應(yīng)。2000 h反應(yīng)后催化劑積碳含量僅為10.7%(圖4C),表明碳沉積速率十分緩慢(0.00001 g/h)。結(jié)合XRD與TEM表征可知,2000 h反應(yīng)前后的催化劑中Ni與CeO2顆粒尺寸未出現(xiàn)明顯變化(圖4D-F),表明該催化劑中Ni與CeO2粒子具有良好的抗燒結(jié)穩(wěn)定性。此外,TEM表征結(jié)果顯示,2000 h反應(yīng)后催化劑中Ni與CeO2分布較為均勻,積碳以石墨碳形式出現(xiàn),且遠(yuǎn)離催化劑表面(圖4G-H)。由此可見,本文借助超細(xì)CeO2納米島對催化劑的修飾可控調(diào)節(jié)CH4解離,同時(shí)大幅強(qiáng)化CO2吸附與活化,加速表面的消碳反應(yīng),并有效促進(jìn)積碳物種遠(yuǎn)離催化劑表面,從而實(shí)現(xiàn)了催化劑的高活性與超穩(wěn)定性。
這一成果近期以題為“Strong activity-based volcano-type relationship for dry reforming of methane through modulating Ni-CeO2 interaction over Ni/CeO2-SiO2 catalysts”發(fā)表在Chem Catalysis期刊上。上述工作得到國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(22379053,21878127)等項(xiàng)目的資助。
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